Een ontwerpbeslissing voor high-NA-lithografie die ASML moest nemen toen euv zich nog niet had bewezen, kreeg een lange staart.
TSMC is door de bocht. Na een reeks kritische – en breed uitgemeten – opmerkingen over de te hoge prijs, start de Taiwanese firma in 2030 met high-NA-volumeproductie. Ondanks al dat drama loopt ’s werelds grootste foundry daarmee gewoon in de pas. Intel begint weliswaar twee jaar eerder, maar Samsungs foundrydivisie heeft ongeveer dezelfde tijdlijn voor ogen. Gemeten in wafervolumes zijn het overigens de dram-fabrikanten, waaronder Samsung, die de kastanjes uit het vuur halen. Vanaf 2028 gaan zij stampen.
Zo vallen alle puzzelstukjes op hun plaats. Na moeilijke jaren was Intel bereid om de kosten en risico’s van de early adopter te dragen om weer technologisch leiderschap te kunnen uitstralen. Geheugenfabrikanten zijn ook vlot met het omarmen van high-NA omdat zij kleinere dies belichten. Zij hoeven dus niet te stitchen, het aan elkaar plakken van twee ‘halve dies’ omdat het belichtingsveld van high-NA half zo groot is als standaard. Dit nadeel van high-NA vloeit rechtstreeks voort uit de eigenschappen van high-NA-optiek.
Login
Problemen met inloggen? Bel dan (tijdens kantooruren) naar 024 350 3532 of stuur een e-mail naar info@techwatch.nl.



