Siliciumcarbide

René Raaijmakers
Leestijd: 3 minuten

Met de overname van de Italiaanse bouwer van halfgeleiderapparatuur LPE voegt ASM een nieuwe veelbelovende tak toe aan zijn business. LPE maakt epitaxieapparatuur voor siliciumcarbide (SiC), een halfgeleidermateriaal dat sterk in opkomst is in de markt voor vermogenstoepassingen.

De acquisitie werd nauwelijks opgemerkt, maar zij is tekenend voor een trend. SiC is het halfgeleidermateriaal waarop de elektronica voor hoge vermogens wordt gebouwd. Siliciumcarbide is keihard – we kennen het als schuurmiddel. Maar het is ook een halfgeleider met een zogeheten brede bandgap. Het is zeer hittebestendig, laat hoge stroomdichtheden toe en geeft vooral bij hogere voltages en vermogens veel betere rendementen dan silicium. SiC spaart dus energie.

De automotive is de meest tot de verbeelding sprekende massamarkt voor SiC-chips, maar daar houdt het niet op. SiC-chips gaan straks naar alle hoogspanningselektronica: treinen, scheepvaart, zonne-energietoepassingen, netwerktoepassingen, industriële machines en datacentra. Al deze markten gaan profiteren van de voordelen van siliciumcarbide.

Dit artikel is exclusief voor premium leden van High-Tech Systems Magazine. Al premium lid? Log dan in. Nog geen premium lid? Neem dan een premium lidmaatschap en geniet van alle voordelen.

Inloggen

Problemen met inloggen? Bel dan (tijdens kantooruren) naar 024 350 3532 of stuur een e-mail naar info@techwatch.nl.