EUV-bronvermogen bereikt virtuele 80 watt

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

ASML en Cymer hebben op de SPIE Advanced Lithography-conferentie in San Jose een update gegeven over hun EUV-inspanningen. De partners wisten zes uur lang zeer stabiel 40 watt EUV-licht op een wafer te schijnen in een NXE:3100-preproductiescanner en een uur lang een iets minder stabiele 55 watt. Nog maar anderhalve maand geleden stond het record op zes keer een uur lang 40 watt. Omdat in de NXE:3300-productiemachine minder licht verloren gaat, heeft EUV-lithografie nu ongeveer 80 watt betekenisvol vermogen bereikt, zeggen Cymer en ASML. Het doel is 105 watt in 2014, al is elke watt meer meegenomen.

In de update werden tevens enkele lithografische records wereldkundig gemaakt. De NXE:3300 heeft 13-nanometerlijnpatronen (half pitch) neergelegd in een enkele belichtingsstap en zelfs 9-nanometerlijnpatronen met behulp van een double patterning-techniek. Ook wat betreft de overlayde mate waarin opeenvolgende chiplagen over elkaar heenvallen – toonde ASML resultaten die chipmakers graag zien.

In Bits&Chips 3 uitgebreid aandacht voor de laatste stand van zaken in litholand. Deze editie verschijnt 29 maart.

Dit artikel is exclusief voor premium leden van High-Tech Systems Magazine. Al premium lid? Log dan in. Nog geen premium lid? Neem dan een premium lidmaatschap en geniet van alle voordelen.

Inloggen

Problemen met inloggen? Bel dan (tijdens kantooruren) naar 024 350 3532 of stuur een e-mail naar info@techwatch.nl.