ASMI verdubbelt doorvoer ALD-proces

Paul van Gerven
Leestijd: 1 minuut

ASM International heeft bij ’meerdere klanten‘ een atoomlaagdepositieproces draaien dat twee keer zo snel dan zijn voorganger hafniumoxide films neerlegt voor hoge-k gates. Daarmee verzachten de Bilthovenaren de pijn van chipmakers die ALD gebruiken enigszins, want doorvoer is de achilleshiel van deze precieze maar langzame depositiemethode. ’Dankzij de verdubbeling kunnen we op 32 nanometer gatediëlektrica aanbrengen met vergelijkbare snelheid als metal-organic vapor deposition‘, aldus productmanager Glen Wilk van ASMI.

Verschillende chipfabrikanten hebben ervoor gekozen vanaf het 45-nanometerknooppunt het traditionele siliciumoxide in de gatestack te vervangen door het beter isolerende hafniumoxide. Met siliciumoxide bleek het moeilijk een balans te vinden tussen een dun genoeg laagje om de transistor ’aan‘ en ’uit‘ te zetten en tegelijk doorslag te voorkomen. Ook lekstromen vormen een probleem. Intel verving daarom het siliciumoxide in zijn 45-nanometerprocessoren door hafniumoxide, IBM volgt op het 32-nanometerknooppunt en TSMC stapt nog later in. ALD is het aangewezen proces om dit nieuwe materiaal op te brengen.

Dit artikel is exclusief voor premium leden van High-Tech Systems Magazine. Al premium lid? Log dan in. Nog geen premium lid? Neem dan een premium lidmaatschap en geniet van alle voordelen.

Inloggen

Problemen met inloggen? Bel dan (tijdens kantooruren) naar 024 350 3532 of stuur een e-mail naar info@techwatch.nl.